當前位置:法律諮詢服務網 - 知識產權 - 半導體fab金屬離子濃度

半導體fab金屬離子濃度

幾十mg/L左右。

半導體生產廢水中的金屬離子種類很多,主要有銅、鎳、錫、鉛、銀等,壹般濃度在幾十mg/L左右。

半導體知識產權泛指FABIP,也即Fab+intellectualproperty源於Fab是集成電路的制造業產業鏈源頭,Fab專註於晶圓的生產制造,而Fabless專註於Chip的設計,這就是分工。

  • 上一篇:哪些知識產權保護不受期限限制
  • 下一篇:南通通州律師事務所哪個好壹點
  • copyright 2024法律諮詢服務網