三星通過官網新聞中心宣布實現基於EUV光刻的5納米FinFET工藝，並已準備好投入生產。據悉，這壹成果由三星在韓國華城的S3晶圓廠及其供應鏈合作夥伴貢獻。
與7納米相比，三星的5納米FinFET工藝使特定面積的晶體管數量增加了25?性能提升10?功耗降低20此外，它是三星重復利用7納米相關知識產權的成果，因此大幅減少了時間成本和落地成本。