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中國科學院半導體研究所簡介

從65438年到0956年,半導體科學與技術在中國科學技術12年長期發展規劃中被列為國家新技術四大應急措施之壹。為了建立我國半導體科學技術的研發基地,國家於1960年9月6日在北京成立了中國科學院半導體研究所(以下簡稱半導體所),開啟了我國半導體科學技術的發展之路。

半導體研究所有兩個國家級研究中心——國家光電技術中心和國家光電器件工程研究中心;三個國家重點實驗室——半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所);兩個院級實驗室(中心)——中國科學院R&D中心半導體材料科學與半導體照明重點實驗室。此外,還有半導體集成技術工程研究中心、光電研發中心、半導體材料科學中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、半導體能源研發中心。並成立圖書信息中心,為研究所提供科研支持服務。

半導體研究院現有員工640余人,其中科技人員460余人,中國科學院院士8人,中國工程院院士2人,副研究員和高級工程技術人員198人,“百人計劃”和國家“傑青”獲得者35人,國家百萬人才工程獲得者6人。其中黃昆先生獲得國家最高科學技術獎2001。有5個碩士學位授予點,3個工程碩士學位培養點,4個博士學位授予點,3個博士後流動站。

半導體所高度重視國內外交流合作,與地方政府、科研機構、高校、企業建立了1院士工作站、3個R&D(轉移)中心、9個聯合實驗室,積極服務企業和區域經濟社會發展。同時,我們積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作,取得了顯著成效。科技部和國家外國專家局批準成立“國家國際聯合研究中心”。而且通過投資擁有自主知識產權的專利和專有技術,整合社會資本,創辦了10多家高新技術企業,科研成果轉化為現實生產力,初步形成了產業化、商品化規模。

半導體所秉承“以人為本、創新跨越、實事求是、和諧發展”的理念,發展迅速,已逐步發展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成為壹體的國家級綜合性研究機構。

半導體所中長期發展戰略目標是:開展與國家發展密切相關、處於世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰略性科技創新活動,為我國高技術發展提供源源不斷的動力;以國家戰略需求為導向,開展戰略性高技術研究,為國民經濟和國防建設提供科技支撐,為相關行業的技術進步做出貢獻;吸引、聚集和培養世界級人才;建立具有國際先進水平的開放式實驗研究和測試平臺,實現科技創新能力的跨越和可持續發展,成為引領我國半導體科技發展的火車頭。

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