單晶矽是矽的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是壹種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用於制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶矽在單晶爐內拉制而成。
擴展資料：
主要用途
單晶矽主要用於制作半導體元件。
用途： 是制造半導體矽器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等
熔融的單質矽在凝固時矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶矽。
單晶矽的制法通常是先制的多晶矽或無定形矽，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶矽。
單晶矽棒是生產單晶矽片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶矽片需求量的快速增加，單晶矽棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。
單晶矽圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。
單晶矽按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法伸長單晶矽棒材，外延法伸長單晶矽薄膜。直拉法伸長的單晶矽主要用於半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。
區熔法單晶主要用於高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用於大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電壹體化、節能燈、電視機等系列產品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用於集成電路領域。
百度百科-單晶矽