1980年代，專門集成電路以標準邏輯門為基本單元，由處理線提供給設計師免費使用，以縮短設計周期：1990年代末進入系統級芯片時代。在芯片上，它包括cpu、dsp、邏輯電路、模擬電路、射頻電路、存儲器和其他電路模塊以及嵌入式軟件，並相互連接，形成完整的系統。
由於系統設計日益復雜，設計行業中已有工廠專門開發具有這些功能的各種集成電路模塊（稱為知識產權核心或IP核心）。這些模塊通過授權提供給其他系統設計人員進行有償使用。設計人員將使用IP核作為設計的基本單元。IP核的重用不僅縮短了系統設計周期，而且提高了系統設計的成功率。
? 研究表明，與由IC構成的系統相比，由於SOC設計能夠綜合考慮整個系統的各種條件，在相同的工藝條件下，可以達到更高的系統指標。21世紀將是SOC技術真正快速發展的時期。
近年來，由於整機的便攜式開發和系統小型化的趨勢，需要在芯片上集成更多不同類型的元件，如Si-CMOSIC，GaAs-RFIC，各種無源元件，光機械設備，天線，連接器。和傳感器等單壹材料和標準工藝的SOC是有限的。近年來，基於SOC快速開發的系統級封裝（SiP）不僅可以在壹個封裝中組裝多個芯片，而且可以堆疊和集成不同類型的器件和電路芯片。復雜，完整的系統。
與SOC相比，SIP具有：
（壹）可以提供更多的新功能；
（2）各工序兼容性好；
（3）靈活性和適應性強；
（4）低成本；
（5）易於分塊測試；
（6）開發周期短等優點。
SOC和SIP互為補充。壹般認為，SOC主要用於更新較慢、對軍事裝備性能要求較高的產品。SIP主要用於更換周期較短的消費品，如手機。SIP的合格率和計算機輔助設計有待進壹步提高。
由於液滴的復雜性，對液滴的設計和工藝技術提出了更高的要求。在設計方面，需要由系統工程師、電路設計、布局設計、矽技術設計、測試和制造等工程師組成的團隊***同努力，以達到最佳的性能、最小的尺寸和最小的成本。首先，采用計算機輔助仿真設計，對芯片、電源和被動組件的參數和布局進行了設計。高密度線路的設計應考慮消除振蕩、過沖、串擾和輻射。考慮散熱和可靠性；選擇襯底材料（包括介電常數、損耗、互連阻抗等）；制定線寬、間距和穿孔等設計規則；最後設計主板的布局。
SIP采用了近十年來迅速發展的觸發器焊接互連技術。觸發器焊接互連具有直流電壓低、互連密度高、寄生電感小、熱、電性能好等優點，但成本高於焊絲。SIP的另壹個優點是能夠集成各種無源組件。無源元件在集成電路中的應用日益增多。例如，移動電話中的無源元件與有源元件的比例約為50：1。采用近年來發展起來的低溫***燒多層陶瓷（LTCC）和低溫***燒鐵氧體（LTCF）技術，即在多層陶瓷中集成電阻、電容、電感、濾波器和諧振器等無源元件，就像將有源器件集成到矽片中壹樣。此外，為了提高芯片芯核在封裝中的面積比，采用了兩個以上的芯片疊層結構，並在Z方向上中進行了三維集成。開發了層合芯片之間的超薄柔性絕緣層底板、底板上的銅線、通孔互連和金屬化等新技術。
SIP以其快速進入市場的競爭力、更小、更薄、更輕、更多的功能，在業界得到了廣泛的應用。它的主要應用是射頻/無線應用、移動通信、網絡設備、計算機和外圍設備、數字產品、圖像、生物和MEMS傳感器。
到2010年，SiP的布線密度預計為6000cm / cm 2，熱密度為100W / cm 2，元件密度為5000 / cm 2，I / O密度為3000 / cm 2。系統級封裝設計也正朝著SOC的自動布局和布線等計算機輔助自動化發展。英特爾最先進的SiP技術將五個堆疊式閃存芯片集成到1.0mm超薄封裝中。東芝的SiP目標是將手機的所有功能集成到壹個包中。日本最近預測，如果全球五分之壹的LSI系統采用SiP技術，SiP市場可達到1.2萬億日元。憑借其進入市場的優勢，SiP將在未來幾年內以更快的速度增長。在加快集成電路設計和芯片制造發展的同時，中國應加大系統級封裝的研發力度。