目前該方向人員所做工作的主要內容、特點和可能的突破:
光電子技術是當前信息技術的壹個重要發展方向，它將在信息領域帶來壹場新的技術革命。
半導體光電子學是光電子技術和微電子技術相互滲透和交叉形成的前沿方向。
主要內容:
1.寬帶隙半導體光電子學寬帶隙半導體是發展短波長光電子器件，特別是當前應用中急需的短波長發光器件的首選材料。寬帶隙半導體光電子學是世界各國競相發展的戰略制高點和學科生長點。重點研究了寬帶隙半導體光電材料(GaN基和ZnO基)技術，特別是多量子阱材料制備技術、摻雜技術、能帶工程技術和偏振控制技術，以及大尺寸低位錯密度自支撐GaN襯底技術。研發ZnO基激光材料和器件技術，研制低閾值電流密度的ZnO基藍光激光器；研發三族氮化物激光器材料和器件技術，研制長壽命三族氮化物藍紫激光器。
2.矽基納米光電集成技術以發展矽基納米光電集成技術為目標，系統研究其關鍵材料(矽基發光材料)、關鍵器件結構單元(矽基納米結構)和關鍵技術(特別是自組裝技術)，提出功能集成的新概念、原理和技術；設計具有量子尺寸效應的納米功能材料的結構單元，利用這種效應實現信息處理功能，開發器件；在此基礎上，利用多種信息載體、復雜的材料結構和高精度的集成技術，結合材料的基本物理特性和器件的基本功能要求，直接進行功能設計，實現了矽基納米光電子的功能集成。
3.二元微光學元件技術設計和優化二元微圖形，利用IC微加工技術制造微光學器件，形成新的光學系統，為光學加工和傳輸做技術準備，實現傳統光學的小型化、陣列化、集成化和經濟化。利用IC技術制作表面亞波長結構，如二元透鏡陣列、二維光柵、二元光學分束器等。開展計算全息與圖像變形的相關研究，研制計算全息掃描儀、圖像微分濾波器和多通道光譜分析濾波器，研制無透鏡相關識別系統、相幹光識別系統和非相幹光識別系統。
深入研究了多種光互連技術，包括PS光互連、CLOS光互連、蝶形光互連等。
本研究方向特點:本研究方向重點研究與光信息存儲、顯示和處理相關的關鍵半導體光電材料和器件技術，特別是短波長光電材料和發光器件、矽基光電集成技術和微光學器件技術。
可能的突破:
1.低位錯密度的大尺寸自支撐GaN襯底材料:
2.長壽命第三族氮化物藍紫色激光器:
3.低閾值電流密度的ZnO基藍光激光器:
4.高效均勻的納米級矽基發光材料；
5.高性能二元光學透鏡陣列、二維光柵和二元光學分束器。(2)研究方向——半導體異質結構電子學
(學科帶頭人姓名:鄭有炓，教授人數:4人，副教授人數:5人，博士人數:6人)
目前該方向人員所做工作的主要內容、特點和可能的突破:
該方向主要從事基於半導體異質結構的新型半導體光電器件的研究和開發。半導體異質結構是當代高速微電子學和光電子學的重要基礎結構，是新世紀信息光電子技術領域的核心技術。基於半導體異質結構的新型半導體光電器件在信息、通信、自動控制、航空航天、國防等領域有許多重要應用，與我國和江蘇省高新技術產業的快速發展密切相關。
該方向的主要研究內容:
1.矽基鍺矽異質結構材料和器件。矽基鍺矽異質結構是發展矽基射頻集成器件和芯片系統的關鍵技術，也是實現矽基光電集成的重要途徑。該項目主要研究利用超低壓化學氣相沈積(VLP-CVD)制備新型矽基鍺矽異質結構材料的制備科學與技術，設計開發新型鍺矽異質結構光電器件，包括矽基鍺矽(碳)異質結雙極晶體管、紅外探測器和量子結構發光器件。
2.寬帶隙半導體材料和器件。寬帶隙半導體材料和器件在光存儲、光顯示、紫外探測和高溫/高功率微波電子技術中具有重要作用，是國際上研究的熱點。本項目主要研究三族氮化物金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)材料生長和器件制備的科學與技術，包括短波長半導體激光器和高功率微波電子器件的異質結構和量子阱材料的制備，三族氮化物高溫高功率微波器件、紫外光電探測器等微電子和光電器件的設計與研制。
主要特點:
(1)以發展矽基射頻集成和光電子集為主要目標，通過矽能帶工程設計和剪裁材料的光電物理性質，開發具有新功能的新結構材料和器件。
(2)發展三族氮化物壓電調制能帶工程，開發新型三族氮化物微波功率器件；
(3)結合III族氮化物、ZnO和SiC寬帶隙半導體的結構和物理優勢，發展了混合寬帶隙半導體異質結構材料和器件。
可能的突破:
(1)高質量矽基鍺矽碳異質結構材料及高性能矽基鍺矽碳紅外探測器；
(2)國防、航空航天等行業急需的高性能三族氮化物高溫高功率微波電子器件；
(3)高性能III族氮化物紫外光電探測器。(學術帶頭人姓名:陳坤吉，教授人數:4，副教授人數:4，博士人數:5)目前我們工作人員所做工作的主要內容、特點和可能的突破:隨著信息技術的飛速發展，半導體器件的規模正在從亞微米向納米發展，從三維向低維的納米量子體系正在發生深刻的變化。傳統微電子學的研究內涵正在向納米電子學延伸。該方向的研究重點是發展具有自主創新知識產權的半導體納米結構制備技術，探索和研究半導體納米電子器件的新結構、新原理和器件特性。同時與江蘇省微電子產業緊密結合，共同發展，為江蘇省在納米電子和納米光電子領域的地位做出貢獻。主要內容:
1.利用激光誘導多層膜結構中的有限結晶原理等自組裝技術，制備半導體納米量子結構材料和物理性質有序、可控、高密度的納米矽和鍺矽材料。研究納米顆粒的界面態性質，探索針對鈍化界面缺陷的低溫超薄氧化技術；采用化學合成法制備了理想半導體膠體量子點和異質量子阱量子點結構，並對新低維結構中的電子行態、納米開關效應以及電子和光子調制效應進行了實驗研究。
2.納米電子器件和納米信息技術將微電子技術和納米加工技術相結合，制造和開發適用於未來信息處理技術的極低功耗、超高密度、超高頻納米器件，包括單電子荷電態邏輯和存儲結構、隧穿晶體管，研究集成器件結構和工作模式；研究MOSFET器件在縮小尺寸方面的物理和技術問題，包括可靠性和介質材料研究；研究了半導體納米結構中的量子和經典電子態及其在新器件中的應用。
3.納米電子學信息處理以納米電子學為基礎，研究納米尺度電子器件的工作原理以及相應的模型、模擬和分析檢測方法。基於納米電子系統的電子輸運理論，研究了超高密度集成納米器件之間互連和信號傳輸的模型和仿真方法。基於神經網絡計算和量子計算，研究超高密度集成單電子器件的信號處理方法。
本研究方向的特點:
1.積極利用微電子技術的方法和成果，探索和開發與IC兼容的新型集成結構和新型工作模式的納米器件。特別是選擇在原理上有鮮明特點、有初步進展、有集成前景的矽基納米器件作為深入研究的重點。在這個方向上，我國開展矽基納米材料和器件的研究較早，並取得了重要進展。
2.充分利用納米材料的特性，結合原有的工作基礎和新方法，開發出工藝簡單、與微電子兼容、性能優異、具有自主知識產權特征的納米量子結構材料。
可能的突破:
1.用於半導體光電納米器件的可控納米結構薄膜材料的制備:
2.開發超低功耗的納米存儲器件；
3.高性能納米矽異質結晶體管；
4.納米功能材料、結構和器件特性的理論計算，相應的物理模型和模擬方法。(學科帶頭人姓名:盧懷賢，教授人數:2人，副教授人數:6人，博士人數:2人)
目前該方向人員所做工作的主要內容、特點和可能的突破:
固態電子應用技術是直接面向應用的固態電子技術，是連接當代微電子學與固態電子學和前沿應用領域的橋梁，與國民經濟和國防建設密切相關。
主要研究內容包括:
1.半導體電子材料技術研究微電子和固體電子材料的新生長方法，研發新的材料生長系統和相關控制技術。該學科創新研發的快速加熱超低壓化學氣相沈積新型原子外延方法和系統，在國內外獨壹無二，具有知識產權。該方法和系統用於發展國防急需的矽微波功率器件的低溫外延矽材料。用高能電子束輻照半導體材料和器件，實現半導體材料和器件的改性，開發新材料，提高器件性能。本學科半導體材料與器件的電子輻照技術在國內領先，開發的電子輻照矽開關二極管技術已在企業成功轉化，創造了直接的經濟效益和社會效益。
2。智能電子技術與系統將智能技術應用於多種檢測領域，重點是虛擬儀器和控制軟件的設計開發，加強微處理器和單片機的技術應用，特別是在基因診斷和識別等生物醫學領域；基於現代電子控制技術、新型固態器件和計算機技術，探索實現新壹代電子監控系統；在實際的系統設計中，對信號處理技術、圖形圖像處理技術和信號傳輸技術進行了全面的研究和應用。
3。新型特種電子器件和技術研發高磁場靈敏度的磁電阻材料和強磁電阻效應的電子器件，研制開關速度為微秒級的固態磁控開關和電流靈敏度優於150 mA的固態電流繼電器；開發了先進的脈沖磁化技術，MC-C脈沖磁化器產品在國內占有較大市場份額。
4。室溫磁制冷材料及系統技術研發新型磁制冷工質、室溫磁制冷冰箱等制冷系統。這項研究目前在國內領先。
研究特點:
(1)成功將快速加熱技術引入微電子和固體電子薄膜材料生長領域，實現了原子級外延。
(2)直接面向應用領域和用戶，研發用戶實際需要的新技術和新產品，研發支出超過654.38+02萬元。
可能的重大突破:
(1)寬帶輕量化復合電磁波吸收材料的突破與產業化；
(2)遺傳信息的智能識別；
(3)高效室溫磁制冷冰箱。