[10]劉冰冰等. 4h-SiC表面的化學和電子通道。應用物理快報,104:202101(2014)[09]蔣...29: 055002 (2014) [08]王慶鵬等61: 498 (2014) [07]朱等4H-SiC MOS界面的電學和物理性質。物理B,432: 89 (2014) [06]李等.臨床sic表面臺階邊緣的氧化.應用物理快報,103:211603(2013)[05]朱等SiO 2/SiC界面陷阱的激情。應用物理快報,103:062105(2013)[04]黃等103:033520(2013)[03]李等87: 085320 (2013) [02]黃等100:263500應用物理快報,99:082102(2011)。
翻譯:《半導體材料與器件表征技術》,大連理工大學出版社,2008年6月原文:Dieter K. Schroder著《半導體材料與器件表征》。
上一篇:退伍軍人兩天慰問政策下一篇:本科是會計專業,考研想考我們學校的思想政治教育專業。以後可以考地稅局的公務員嗎?