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巨磁電阻效應是指磁性材料在外磁場作用下，電阻率相對於無外磁場時發生較大變化的現象。巨磁電阻(GMR)是壹種量子力學效應，由層狀磁性薄膜結構產生。這種結構是通過交替重疊鐵磁材料和非鐵磁材料的薄層形成的。
當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子的自旋相關散射最小，材料的電阻最小。當鐵磁層的磁矩反平行時，與自旋相關的散射最強，材料的電阻最大。
早在1988年，Phil和Gruenberger就獨立發現了這壹特殊現象:非常微弱的磁場變化可以導致磁性材料的電阻發生非常顯著的變化。
當時，法國的菲爾在鐵鉻交替多層電阻中發現，壹個微弱的磁場變化可以導致電阻大小的急劇變化，比平時高出十倍。他把這種效應命名為巨磁阻效應。
有趣的是，就在三個月前，德國烏爾裏希研究中心的Gruenberger教授領導的研究小組在層與層之間反平行磁化的鐵/鉻/鐵三層膜結構中發現了完全相同的現象。
參考資料:
百度百科-2007年諾貝爾物理學獎
百度百科-巨磁電阻效應