光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.
Photolithography（光刻） 意思是用光來制作壹個圖形（工藝）；
在矽片表面勻膠，然後將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到矽片上的過程。
擴展資料：
光刻相關介紹：
壹般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘幹、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。
在傳統光學光刻技術逼近工藝極限的情況下，電子束光刻技術將有可能出現在與目前193i為代表的光學曝光技術及EUV技術相匹配的混合光刻中，在實現10nm級光刻中起重要的作用。
應該提到的是電子束曝光技術是推動微電子技術和微細加工技術進壹步發展的關鍵技術，在微電子、微光學和微機械等微系統微細加工領域有著廣泛的應用前景，而且除電子束直寫光刻技術本身以外，幾乎所有的新壹代光刻技術所需要的掩模制作還是離不開電子束曝光技術。
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