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請問led從外延到芯片到封裝的詳細工藝流程和圖,回答最好的獎勵20分。

Led外延工藝:

Pss襯底- MOCVD -外延半成品-測量

中檔流程:

1,有機清洗

用機:濕?板凳;氮氣槍

1.?ACE:用有機溶劑去除有機汙染

2.?國際音標:使用國際音標?和ACE壹起?和水可以完全混溶,這樣就可以徹底洗幹凈(通常汙染源是IPA?來)。

3.?QDR?(快?去離子水?沖洗)?用快速去離子水帶走貼在芯片上的物質。

4.?吹幹:用氮氣槍吹幹晶片。

5.?脫水烘烤(120℃/10min):防止水汽殘留影響塗層質量。

2.去除光致抗蝕劑

1.?ACE:用有機溶劑去除光刻膠

2.?國際音標:使用國際音標?和ACE壹起?並且可以徹底清洗。

3.?QDR?(快?去離子水?沖洗)?用快速去離子水帶走貼在芯片上的物質。

4.?吹幹:用氮氣槍吹幹晶片。

5.?脫水烘烤(120℃/10min):防止水汽殘留影響塗層質量。

各區簡介

3、梅薩?階段

1.?取證?國際貿易組織(International Trade Organization)

用機:伊藤?蒸汽鍍膜機

沈積:ITO(氧化銦錫)

規格:?3750A(雙強),2600A(福林)

測量滲透率必須達到97%?以上,

反抗?低於10ω

檢查要點:是否幹凈,是否有水痕或不明殘留物,小黑點。

4、梅薩?黃燈

使用機器:旋轉?塗布機、烘箱、校準器

沈積物:正性光敏電阻

節目:?耐光?軟烤?曝光?發展?檢查?硬烘焙

檢驗要點:切割路徑是否幹凈,圖案是否完整,掩膜(產品)型號是否正確。

5、梅薩?腐蝕劑

用機:濕?長凳,長椅

使用溶液:ITO?蝕刻液(鹽酸+氯化鐵)-蝕刻ITO

條件:55℃/?50秒

節目:?確認溫度和秒數?蝕刻?洗?支票

檢查要點:是否有側蝕,切割路徑是否幹凈,圖形是否完整。

6.幹法刻蝕

使用機器:ICP

蝕刻深度:12000~18000A(包括ITO)

7.去嗎?公關?面膜?

用機:濕?長凳,長椅

使用的溶液:SF-M15?(LT-420)-去除光刻膠

硫酸+過氧化氫-去除有機物

節目:?確認溫度和秒數?泡?冷卻(5分鐘)

ACE+超聲波震蕩湯?IPA?洗?印度麥芽酒(壹種淺色啤酒)

熱氮氣吹幹?硫酸+過氧化氫(室溫/1分鐘)

洗?支票

測量:α步?(邊緣線測量儀)

考察重點:伊藤?表面上有PR嗎?剩余路徑和切割路徑是

是否幹凈,圖形是否完整。

8、TCL?腐蝕劑

用機:濕?長凳,長椅

使用溶液:ITO?蝕刻溶液(鹽酸+氯化鐵)

-蝕刻ITO

條件:55℃/?40秒

節目:?確認溫度和秒數?蝕刻?洗?檢查?去掉光阻?回盤時,壹定要區分通過的爐管。

檢查要點:是否有側蝕,切割路徑是否幹凈,圖案是否完整,光刻膠是否殘留。

9、線路測試

使用機器:引線鍵合機、張力計。

節目:?線?拉記錄拉利克幾次推金球。

扯下金線?吹掉金球金線?檢查?

檢查重點:?pad?剝皮數和拉利克數是否足夠(必須大於?

8g)。有沒有不粘的情況?

重要:?穿線完畢後必須將線頭和金線完全去除,並用氮氣槍吹幹凈。否則會造成芯片?打磨後厚薄不均,整片報廢。

10,合金

使用機器:爐管

蝕刻深度:330?℃/10min?

後端流程:

流程順序:

打磨工藝:打蠟→打磨→拋光→打蠟→清洗。

切割/劈裂過程:貼片→激光切割→劈裂→翻轉→擴張。

點測過程:所有點/采樣點(確認芯片的光/電特性數據)

分類過程:根據光/電特性

目視檢查過程:去除外觀不良的芯片

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