Pss襯底- MOCVD -外延半成品-測量
中檔流程:
1，有機清洗
用機:濕？板凳；氮氣槍
1.？ACE:用有機溶劑去除有機汙染
2.？國際音標:使用國際音標？和ACE壹起？和水可以完全混溶，這樣就可以徹底洗幹凈(通常汙染源是IPA？來)。
3.？QDR？(快？去離子水？沖洗)？用快速去離子水帶走貼在芯片上的物質。
4.？吹幹:用氮氣槍吹幹晶片。
5.？脫水烘烤(120℃/10min):防止水汽殘留影響塗層質量。
2.去除光致抗蝕劑
1.？ACE:用有機溶劑去除光刻膠
2.？國際音標:使用國際音標？和ACE壹起？並且可以徹底清洗。
3.？QDR？(快？去離子水？沖洗)？用快速去離子水帶走貼在芯片上的物質。
4.？吹幹:用氮氣槍吹幹晶片。
5.？脫水烘烤(120℃/10min):防止水汽殘留影響塗層質量。
各區簡介
3、梅薩？階段
1.？取證？國際貿易組織(International Trade Organization)
用機:伊藤？蒸汽鍍膜機
沈積:ITO(氧化銦錫)
規格:？3750A(雙強)，2600A(福林)
測量滲透率必須達到97%？以上，
反抗？低於10ω
檢查要點:是否幹凈，是否有水痕或不明殘留物，小黑點。
4、梅薩？黃燈
使用機器:旋轉？塗布機、烘箱、校準器
沈積物:正性光敏電阻
節目:？耐光？軟烤？曝光？發展？檢查？硬烘焙
檢驗要點:切割路徑是否幹凈，圖案是否完整，掩膜(產品)型號是否正確。
5、梅薩？腐蝕劑
用機:濕？長凳，長椅
使用溶液:ITO？蝕刻液(鹽酸+氯化鐵)-蝕刻ITO
條件:55℃/？50秒
節目:？確認溫度和秒數？蝕刻？洗？支票
檢查要點:是否有側蝕，切割路徑是否幹凈，圖形是否完整。
6.幹法刻蝕
使用機器:ICP
蝕刻深度:12000~18000A(包括ITO)
7.去嗎？公關？面膜？
用機:濕？長凳，長椅
使用的溶液:SF-M15？(LT-420)-去除光刻膠
硫酸+過氧化氫-去除有機物
節目:？確認溫度和秒數？泡？冷卻(5分鐘)
ACE+超聲波震蕩湯？IPA？洗？印度麥芽酒（壹種淺色啤酒）
熱氮氣吹幹？硫酸+過氧化氫(室溫/1分鐘)
洗？支票
測量:α步？(邊緣線測量儀)
考察重點:伊藤？表面上有PR嗎？剩余路徑和切割路徑是
是否幹凈，圖形是否完整。
8、TCL？腐蝕劑
用機:濕？長凳，長椅
使用溶液:ITO？蝕刻溶液(鹽酸+氯化鐵)
-蝕刻ITO
條件:55℃/？40秒
節目:？確認溫度和秒數？蝕刻？洗？檢查？去掉光阻？回盤時，壹定要區分通過的爐管。
檢查要點:是否有側蝕，切割路徑是否幹凈，圖案是否完整，光刻膠是否殘留。
9、線路測試
使用機器:引線鍵合機、張力計。
節目:？線？拉記錄拉利克幾次推金球。
扯下金線？吹掉金球金線？檢查？
檢查重點:？pad？剝皮數和拉利克數是否足夠(必須大於？
8g)。有沒有不粘的情況？
重要:？穿線完畢後必須將線頭和金線完全去除，並用氮氣槍吹幹凈。否則會造成芯片？打磨後厚薄不均，整片報廢。
10，合金
使用機器:爐管
蝕刻深度:330？℃/10min？
後端流程:
流程順序:
打磨工藝:打蠟→打磨→拋光→打蠟→清洗。
切割/劈裂過程:貼片→激光切割→劈裂→翻轉→擴張。
點測過程:所有點/采樣點(確認芯片的光/電特性數據)
分類過程:根據光/電特性
目視檢查過程:去除外觀不良的芯片