Pss襯底- MOCVD -外延半成品-測量
中檔流程:
1,有機清洗
用機:濕?板凳;氮氣槍
1.?ACE:用有機溶劑去除有機汙染
2.?國際音標:使用國際音標?和ACE壹起?和水可以完全混溶,這樣就可以徹底洗幹凈(通常汙染源是IPA?來)。
3.?QDR?(快?去離子水?沖洗)?用快速去離子水帶走貼在芯片上的物質。
4.?吹幹:用氮氣槍吹幹晶片。
5.?脫水烘烤(120℃/10min):防止水汽殘留影響塗層質量。
2.去除光致抗蝕劑
1.?ACE:用有機溶劑去除光刻膠
2.?國際音標:使用國際音標?和ACE壹起?並且可以徹底清洗。
3.?QDR?(快?去離子水?沖洗)?用快速去離子水帶走貼在芯片上的物質。
4.?吹幹:用氮氣槍吹幹晶片。
5.?脫水烘烤(120℃/10min):防止水汽殘留影響塗層質量。
各區簡介
3、梅薩?階段
1.?取證?國際貿易組織(International Trade Organization)
用機:伊藤?蒸汽鍍膜機
沈積:ITO(氧化銦錫)
規格:?3750A(雙強),2600A(福林)
測量滲透率必須達到97%?以上,
反抗?低於10ω
檢查要點:是否幹凈,是否有水痕或不明殘留物,小黑點。
4、梅薩?黃燈
使用機器:旋轉?塗布機、烘箱、校準器
沈積物:正性光敏電阻
節目:?耐光?軟烤?曝光?發展?檢查?硬烘焙
檢驗要點:切割路徑是否幹凈,圖案是否完整,掩膜(產品)型號是否正確。
5、梅薩?腐蝕劑
用機:濕?長凳,長椅
使用溶液:ITO?蝕刻液(鹽酸+氯化鐵)-蝕刻ITO
條件:55℃/?50秒
節目:?確認溫度和秒數?蝕刻?洗?支票
檢查要點:是否有側蝕,切割路徑是否幹凈,圖形是否完整。
6.幹法刻蝕
使用機器:ICP
蝕刻深度:12000~18000A(包括ITO)
7.去嗎?公關?面膜?
用機:濕?長凳,長椅
使用的溶液:SF-M15?(LT-420)-去除光刻膠
硫酸+過氧化氫-去除有機物
節目:?確認溫度和秒數?泡?冷卻(5分鐘)
ACE+超聲波震蕩湯?IPA?洗?印度麥芽酒(壹種淺色啤酒)
熱氮氣吹幹?硫酸+過氧化氫(室溫/1分鐘)
洗?支票
測量:α步?(邊緣線測量儀)
考察重點:伊藤?表面上有PR嗎?剩余路徑和切割路徑是
是否幹凈,圖形是否完整。
8、TCL?腐蝕劑
用機:濕?長凳,長椅
使用溶液:ITO?蝕刻溶液(鹽酸+氯化鐵)
-蝕刻ITO
條件:55℃/?40秒
節目:?確認溫度和秒數?蝕刻?洗?檢查?去掉光阻?回盤時,壹定要區分通過的爐管。
檢查要點:是否有側蝕,切割路徑是否幹凈,圖案是否完整,光刻膠是否殘留。
9、線路測試
使用機器:引線鍵合機、張力計。
節目:?線?拉記錄拉利克幾次推金球。
扯下金線?吹掉金球金線?檢查?
檢查重點:?pad?剝皮數和拉利克數是否足夠(必須大於?
8g)。有沒有不粘的情況?
重要:?穿線完畢後必須將線頭和金線完全去除,並用氮氣槍吹幹凈。否則會造成芯片?打磨後厚薄不均,整片報廢。
10,合金
使用機器:爐管
蝕刻深度:330?℃/10min?
後端流程:
流程順序:
打磨工藝:打蠟→打磨→拋光→打蠟→清洗。
切割/劈裂過程:貼片→激光切割→劈裂→翻轉→擴張。
點測過程:所有點/采樣點(確認芯片的光/電特性數據)
分類過程:根據光/電特性
目視檢查過程:去除外觀不良的芯片