我們國內確實是既難買又難造高端的光刻機，包括7納米的和5納米的，當前就是在這最後的壹個端上陷入了現實的兩難處境，短期內不可能脫離，是個長期性的現實。
只要成功研發出了高端的制造技術，難造就會變成易造了；只要即將成功制造出高端的光刻機產品，難買就會變成易買了 。處境變成兩易的了！而到了兩易的時候， 只要不受國內已經易買國外高端產品這個“外部幹擾”，堅持不懈地自主制造即將成功的高端光刻機，直至下線、量產、上市，就完全徹底脫離出兩難處境了 ，再買高端的，多了壹個好的選擇，頭壹回能來個貨比兩家，關鍵是個更好的選擇，因為是本國自主可控的；再造更高端的，有了壹個高的基礎，關鍵在於更高端的不過是同壹端上的，即便是頂級的。 這就是造與買的關系在我們中國的樣子，連造與買低端和中端光刻機的關系也是這個樣，與在美國及其盟國盟友那裏的大不相同，已經被 歷史 上的正和反事實反反復復地證明了。
造與買的關系在今後的中國只會是這個樣！ 與美國及其盟國盟友大不相同，我們國內不造高端以及頂級光刻機就根本買不到，將造出就買得到，已造出就會被國內和國外買，造出高端光刻機的企業也能賺來大錢，特別是，讓本國的高端芯片制造企業在核心工藝設備上不可能再被美國和荷蘭聯合起來卡脖子了，在其它工藝設備以及材料上也就不可能再被美國單獨卡脖子了，從而讓本國的高端芯片設計企業在高端芯片代工上也不可能再被卡脖子，還讓本國的高端封測企業將其擁有的高端技術用在高端國產芯片封測上，終結壹連串本國企業的壹大段無奈、尷尬甚至有的屈辱、有的恥辱的 歷史 ；關鍵是，讓本國斷在高端光刻機技術和產品上的高端技術鏈產業鏈供應鏈建起了、強起了，整個雄起，盡管高端光刻機很可能是最後補上的壹強，接著，高端自主的國產芯片就有了！再接著，就會有、還會相對快地有更為高端直至頂級的自主芯片！在達到了7納米高端自主的時候，在整個的中國這裏，買國外芯片花大錢的 歷史 就終結了，賣國產芯片賺大錢的 歷史 就開啟了，看看吧、想想吧， 造不如買？！
為什麽陷入了兩難處境？ 從現象上看，難買外國的是因為國內沒有制造出來高端光刻機產品，難造本國的是因為國內沒有研發出來高端光刻機技術，技術和產品都被國外壟斷著，由此可知， 從實質上看，國內沒有研發出來高端技術既是難買又是難造高端產品的實質性原因，也就是陷入兩難處境的實質原因，正確處理造與買的關系就成為了擺脫兩難處境的實質性辦法 。 歷史 事實表明， “造不如買”的實質就是“研不如買”。 自己研發出來高端自主制造技術包括整機集成的和部件制作的固然也是難的，不僅是最前面的難，還是最難的， 而到如今仍是難買又難造，與自主研發技術曾經是人為造成的最難大有關系 。
光刻機被譽為半導體產業皇冠上的明珠。光刻機的主要作用是將掩模版上的芯片電路圖轉移到矽片上，在某種程度上來說，光刻工藝的決定了半導體線路的線寬，同時也決定了芯片的性能與功耗，越高端的芯片，所需要的光刻工藝也越先進。
“工欲善其事，必先利其器”，光刻機就是芯片制造中的那壹把“利器”，也被譽為半導體產業皇冠上的明珠。光刻機的主要作用是將掩模版上的芯片電路圖轉移到矽片上，在某種程度上來說，光刻工藝的決定了半導體線路的線寬，同時也決定了芯片的性能與功耗，越高端的芯片，所需要的光刻工藝也越先進。
大家都知道，芯片很重要，離開了芯片，幾乎所有電子設備都會失去作用。但要是離開光刻機，自然也就制造不出芯片，同樣也不可能有手機、電腦等電子設備的產生。
光刻機的關鍵技術：以光為媒，刻化微納於方寸之間
指甲蓋大小的壹枚芯片，內部卻包含了上千萬個晶體管，猶如壹座超級城市，線路錯綜復雜，這跟光刻機的工作原理相關，其中涉及系統集成、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環境控制等多項先進學科。因此光刻機是所有半導體制造設備中技術含量最高的設備，具備極高的單臺價值。
如果單純從工作原理的角度來解析，光刻機並不復雜。“以光為媒，刻化微納於方寸之間”，光刻機是通過串聯的光源能力以及形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的校正，經過物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後映射到矽片上，然後使用化學方法進行顯影、刻蝕處理，最終得到刻在矽片上的電路圖。
但是它最難的在於，需要在極小的空間內完成超精細的納米級雕刻工藝，為具備這項能力。需要掌握的關鍵技術有很多，主要包括以下幾種：
1、“微縮投影系統”即所謂的“光刻機鏡頭”。這種鏡頭不是壹般的鏡頭，其尺寸可以達到高2米直徑1米甚至更大。光刻機的整個曝光光學系統，可能需要20多塊鍋底大的鏡片串聯組成，將光學零件精度控制在納米級別。每塊鏡片都由高純度透光材料制成，還包括高質量拋光處理等過程，壹塊鏡頭的成本在數萬美元上下;
2、既然叫做“光刻機”，所以“光源”也是光刻機的核心之壹，要求光源必須發出能量穩定且光譜很窄很窄的紫外光，這樣才能保證加工精度和精度的穩定性。按照光源的發展軌跡，光刻機從最初的紫外光源(UV)發展到深紫外光(DUV)，再到如今的極紫外光(EUV)，三者最大的不同在於波長，波長越短，曝光的特征尺寸就越小。
(資料源自上海微電子官網、東興證券研究所，OFweek電子工程網制圖)
最早的光刻機采用汞燈產生的紫外光源，從g-line壹直發展到i-line，波長從436nm縮短到365nm。隨後，業界利用電子束激發惰性氣體和鹵素氣體結合形成的氣體分子， 向基態躍遷時所產生準分子激光的深紫外光源，將波長進壹步縮短至193nm，由於在此過程中遇到了技術障礙，因此采用浸沒式(immersion)等技術進行矯正後，光刻機的極限光刻工藝節點可達28nm。
如今，業界最先進的光刻機是EUV光刻機，將準分子激光照射在錫等靶材上，激發出波長13.5nm的光子作為光刻機光源。EUV光刻機大幅度提升了半導體工藝水平，能夠實現7nm及以下工藝，為摩爾定律的延續提供了更好地方向。而業界也只有ASML壹家能夠提供EUV設備，處於產業金字塔頂端;
3、分辨率，對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的壹種描述方式。光刻的分辨率受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面都有關系，總體來說，分辨率和光源波長的關系可以用公式“R(分辨率)=K1(工藝參數)λ(光源波長)/NA(光學鏡頭的數值孔徑)”;
4、工藝節點，是反映芯片技術工藝水平最直接的參數。工藝節點的尺寸數值基本上和晶體管的長寬成正比關系，每壹個節點基本上是前壹個節點的0.7倍，0.7X0.7=0.49，所以每壹代工藝節點上晶體管的面積都比上壹代小大約壹半，因此單位面積上的晶體管數量將翻番，這就是著名的摩爾定律。壹般18 24個月，工藝節點就會發展壹代。
工藝節點發展以28nm為分水嶺，雖然依然按照0.7倍的規律前進，但實際上晶體管的面積以及電性能的提升遠落後於節點數值變化。比如英特爾當時統計數據顯示，他們20nm工藝的實際性能已經相當於三星14nm和臺積電的16nm工藝。更麻煩的是，不同廠商工藝節點換算方法不壹，導致了很多理解上的混亂。因此，只有對芯片有很高要求的產品才會采用28nm及以下先進工藝。當然，發展到現在，臺積電已經開發出了更為先進的5nm工藝並實現量產，今年下半年就會有搭載相關芯片的產品面世。
高端光刻機為什麽難買又難造?
壹般來說，壹條芯片生產線上需要好幾臺光刻機，而壹臺光刻機的造價也非常高，其中成像系統和定位系統最貴，整臺設備算下來造價三千萬到五億美元不等。此外，光刻機上的零部件還包括來自瑞典的軸承、德國的鏡頭、美國的光柵、法國的閥件等等，都屬於各個國家的高端工藝產品。
光刻機的折舊速度非常快，每天大概就要花費3 9萬人民幣，將其稱為“印鈔機”也不為過。正是因為光刻機昂貴的造價和上文中提到的各項高先進技術，ASML壹年也只能制造出20多臺EUV光刻機。
這麽昂貴的設備，ASML公司壹年賣出幾臺就夠養活整個公司了，中國市場壹直以來都是ASML看好的重點業務區域，但是卻偏偏不能向中國出售高端光刻機，為什麽呢?這裏就要提到《瓦森納協定》。比如中芯國際苦苦等待的EUV光刻機，雖然設備壹直沒到，但是也沒有因此停止研發進程，已經在14nm的基礎上研發出“N+1”、“N+2”工藝，等同於7nm工藝，公司聯合首席執行官兼執行董事梁孟松也透露出，現階段哪怕不用EUV光刻機，也可以實現7nm工藝。但想要大規模成熟量產，依然離不開EUV光刻機。
中國又被譽為“制造大國”，既然買不著，那自己造如何?
在過去，搜狐能 copy 雅虎，淘寶能 copy eBay，滴滴 copy Uber，那咱們能不能 copy 壹個ASML出來自己造光刻機?要知道，ASML可謂是當前光刻機領域的“壹哥”，盡管尼康和佳能與之並稱“光刻機三巨頭”，但在支持14nm及以下的光刻機上，唯有ASML壹家獨大。
“光刻機之王”ASML的成功難以復制。ASML出身名門，由原本荷蘭著名的電器制造商飛利浦公司半導體部門獨立拆分出來，於2001年更名為 ASML。
在ASML背後，還有英特爾、三星、臺積電、SK海力士等半導體巨頭為其撐腰，只有投資了ASML，才能成為其客戶，拿到光刻機產品的優先供貨權。多方資本註入下，ASML也有了更多強化自身實力的機會：
2001年，ASML收購美國光刻機廠商矽谷集團獲得反射技術，市場份額反超佳能，直追尼康;
2007年，ASML收購美國 Brion 公司，成為ASML整體光刻產品戰略的基石;
2012年，ASML收購全球知名準分子激光器廠商Cymer，加強光刻機光源設備及技術;
2016年，ASML收購臺灣半導體設備廠商漢微科，引入先進的電子束晶圓檢測設備及技術;
2016年，ASML收購德國卡爾蔡司子公司24.9%股份，加強自身微影鏡頭技術;
2019年，ASML宣布收購其競爭對手光刻機制造商Mapper知識產權資產。
在上文中提到，光刻機設備融合了多門復雜學科，不僅種類繁多，還要求是當前該領域最先進的技術，放眼當下沒有任何壹家公司敢說自己能在這些領域都做到最好。也就只有ASML能夠不斷通過自研、收購等方式，壹步步走上神壇。
說出來很多人可能不信，我國最早研發光刻機的時候，ASML還沒有出現。資料記載，1977年也就是中國恢復高考那年，我國最早的光刻機-GK-3型半自動接近式光刻機誕生，由上海光學機械廠試制。
80年代其實開了個好頭，1981年，中國科學院半導體所成功研制出JK-1型半自動接近式光刻機樣機。1982年國產KHA-75-1光刻機的誕生，估計跟當時最先進的佳能相比也就相差4年。1985年中國第壹臺分步投影式光刻機誕生，跟美國造出分布式光刻機的時間差距不超過7年。這些都說明當時中國其實已經註意到了投影光刻技術的重要性，只是苦於國內生產工藝尚不成熟，所以很難實現量產。
80年代末期，“造不如買”的思想席卷了大批制造企業，我國半導體產業研發進程出現了脫節，光刻機產業也未能幸免。
雖然後續壹直在追趕國外列強的腳步，但產業環境的落後加上本來就與世界先進企業有差距，使得中國終究沒有在高端光刻機領域留下屬於自己的痕跡。
“眼看他起朱樓，眼看他樓塌了”，80年代初期奠定的中國光刻機產業基礎就這樣被輕視了。這也是為什麽我國光刻機產業壹直趕不上國外的原因，再加上光刻機制造所需要的各種零部件，也都受到不同程度的管制，如今想再追回來，實在太難。
中國高端光刻機正在路上
2001年， 科技 部和上海市於2002年***同推動成立上海微電子裝備公司，承擔國家“863計劃”項目研發100nm高端光刻機。據悉，中電科四十五所當時將其從事分步投影光刻機團隊整體遷至上海參與其中;
2008年， 科技 部召開國家 科技 重大專項"極大規模集成電路制造裝備及成套工藝"推進會，將EUV技術列為下壹代光刻技術重點攻關的方向。中國企業也將EUV光刻機列為了集成電路制造領域的發展重點對象。
如今，國內從事光刻機及相關研究生產的除了上海微電子裝備、合肥芯碩半導體、江蘇影速集成電路裝備以外，還有清華大學精密儀器系、中科院光電技術研究所、中電科四十五所等高校/科研單位。
在研發成果上，2016年，清華大學“光刻機雙工件臺系統樣機研發”項目成功通過驗收;2016年，清華大學“光刻機雙工件臺系統樣機研發”項目成功通過驗收;2018年，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備”通過驗收，也是世界上首臺用紫外光源實現22nm分辨率的光刻機，意義在於用便宜的光源實現較高的分辨率，用於壹些特殊制造場景。
可以看到，在光刻機的自主研發進程上，中國也取得了很大的進步。但相對來說比較緩慢，要想真正研發出高端光刻機，需保證多個學科和領域的技術水平達到或者超過世界先進水平，任何壹環節落下都會影響產品的性能。
這是美國的精準打擊，有本事查查這個餿點子是如何出籠？我覺得正是我們50年代人掌舵時缺乏幾乎所有科學知識，被自己權力切割，連同40後與60後的紐帶壹同切掉，30後已失能，40後除做房地產的尖子，其余趨向失能，50後是鴻溝的分界，權力中心做自然科學的極少，人才都是做買賣的，買不到自然只有造，說造，得創新，雖然少，但不乏有能做光學化學電學，機電壹體化的，光電的組織能力，基本都要退休能要嗎？後來60，70都是40，50教的，他們都缺乏系統邊緣滲透交融能力，天天喊隔行如隔山，各霸壹方，搞這種綜合高 科技 設備既缺乏專業精通，又少有隔行合作的氣量，包括航空發動機也壹樣，他瞄準了不打這，那打什麽？
高端光刻機難買是因為以美國為首的西方國家對中國進行嚴密的技術封鎖，難造是因為光刻機是高 科技 的集成產品，在我國基礎如此薄弱的情況下還能取得如此成績本身就是壹個奇跡，假以時日，光刻機也會象盾構機壹樣被攻克。
因為世界上的高端光刻機只有荷蘭在生產，產量有限所以難買。光刻機融合了工業制造的幾乎各個方面的高精技術所以也難造。
難買是別個不想讓妳超越自己！難造是因為之前有配套設施沒把它當回事！接下來重視起來了就不難造了！