第壹階段是1965年到1978年，以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件;
第二階段是1978年到1990年，主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化;
第三階段是1990年到2000年，以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展;
第四階段是2000年到現在，智能手機和消費電子的快速發展帶動了集成電路的發展，以上海、北京、深圳作為第壹梯隊，中國集成電路產業整體快速發展的同時，中國集成電路企業實力也得到了顯著提升。
中國集成電路史上最具代表性的六位科學家
壹、黃敞：中國航天微電子與微計算機技術的奠基人
1934年9月入南京五臺山小學學習，後隨父母搬遷，先後就讀於湖南長沙下馬嶺小學、香港中華中學附小。1953年獲得美國哈佛大學博士學位後，1953年至1958年期間，黃敞先生受聘於雪爾凡尼亞半導體廠，相繼擔任高級工程師、專家工程師和工程經理，從事半導體前沿科學研究工作。
20世紀50年代初中期，當時國際的半導體、晶體管理論與工藝技術處於研究開發階段。這壹時期，身在美國的黃敞先生把研究重心放在了晶體管理論及制作工藝等半導體前沿科學上，通過在美國多家著名企業和院校進行晶體管理論與技術的探索研究，系統論述了晶體管理論和應用，發表論文20余篇，獲得美國專利10項。
1965年，為發展航天微電子與微計算機事業，黃敞先生調至同年組建的中國科學院156工程處，即771所前身，開始從事航天微電子與微計算機事業。黃敞成功研制出固體火箭用CMOS集成電路計算機，使我國衛星運載技術跨上了新臺階，也為後續發展奠定了堅實基礎。1975年，主持研制的大規模集成電路、大規模集成的I2L微計算機，獲得了1978年全國第壹次科學技術大會質量金獎。
二、鄧中翰：中國芯片之父
1968年9月5日出生於江蘇南京，微電子學、大規模集成電路及系統專家，中國工程院院士，星光中國芯工程總指揮，中星微集團創建人，1987年9月，鄧中翰考入中國科學技術大學地球和空間科學系 ，在大學期間，鄧中翰就在黃培華教授的指導下，進行科學研究。1992年6月，本科畢業，獲得學士學位後赴美留學，進入加利福尼亞大學伯克利分校學習，先後獲得物理學碩士、經濟學碩士、電子工程與計算機科學博士，成為該校成立130年來橫跨理、工、商三科學位的第壹人。
2005年，鄧中翰領導開發設計出的“星光”系列數字多媒體芯片，實現了八大核心技術突破，申請了該領域2000多項中國國內外技術專利，取得了核心技術突破和大規模產業化的壹系列重要成果，這是具有中國自主知識產權的集成電路芯片第壹次在壹個重要應用領域達到全球市場領先地位，徹底結束了中國了“無芯”的歷史 。
鄧中翰是中國大規模集成電路及系統技術主要開拓者之壹，鄧中翰在“星光中國芯工程”中做出了突出成就，被業界稱為“中國芯之父” 。
三、沈緒榜：研制16位嵌入式微計算機促進NMOS技術的發展
1933年生於臨澧縣烽火鄉蘭田村，1953年沈緒榜考入武漢大學數學系，中國計算機專家、中國科學院院士，1957年畢業於北京大學數學力學系。中國航天時代電子公司第七七壹研究所研究員，大學兼職教授，壹直從事嵌入式計算機及其芯片的設計工作。
沈緒榜壹直從事航天計算機及其國產芯片的設計研制工作，並作出了重大貢獻。1965年，他設計研制了我國第壹臺國產雙極小規模集成電路航天制導計算機，並首次研制出了我國第壹臺國產PMOS中規模集成電路航天制導計算機，促進了中國PMOS集成電路技術的迅速發展。
1977年完成了我國第壹臺國產NMOS大規模集成電路航天專用16位微計算機的研制，獲國家科技進步三等獎，他研制的專用大規模集成電路運算邏輯部件ALU於1988年獲國防專用國家級科技進步三等獎。
四、許居衍：創建中國第壹個集成電路專業研究所
1934年7月9日 出生於福建省閩侯縣，1953-1956年 廈門大學物理系學習，1956-1957年 北京大學物理系學習。1970年，他參與了中國第壹個集成電路專業研究所——第二十四研究所的創建，組織中國第壹塊矽平面單片集成電路的研制定型、參與計算機輔助制版系統及離子註入技術的基礎研究，在集成電路工程技術的研究方面作出了創新性貢獻。
1978年起，他開始擔任所級技術領導工作，對24所在確定科技方向、預先研究、繁榮學術活動和加速人才培養、組織科技攻關等方面，均做出了明顯成績。在他擔任總工程師期間，24 所完成了4K、16K、64K DRAM、八位微機、超高速ECL、八位數模轉換器等重大科技開發工作，先後獲得國家科技進步獎1項，部科技進步壹等獎10多項。
許居衍同誌是中國微電子工業初創奠基的參與者和當今最重點企業的技術創建與開拓者，為中國微電子工業發展作出了重大貢獻。
五、林為幹：中國微波之父
1919年10月20日生於廣東臺山縣.中國科學院院士、微波理論學家、電子科技大學教授。1939年畢業於清華大學。1951年獲美國加州大學博士學位，1951年回國後，在嶺南大學、華南工學院任教。
林為幹對中國電磁科學的發展作出了傑出的貢獻，他50年來在此領域耕耘至今，其主要科技成就為閉合場理論，開放場理論和鏡像理論。在閉合場理論方面，他發表了“壹腔多模擬微波濾波器”的觀點，奠定了壹腔多模的作用，林為幹開展了毫米波技術和寬帶光纖技術等方面的系統研究，完成了壹大批國家科研任務，取得了壹系列成果。
正是由於他在國內微波理論方面作出的開拓性貢獻，香港中文大學在1993年邀請林為幹做學術報告時，尊他為“中國微波之父”。
六、吳德馨：國內首次成功研制矽平面型高速開關晶體管
1936出生於河北樂亭，半導體器件和集成電路專家，1961年畢業於清華大學無線電電子工程系，主要從事化合物半導體異質結晶體管和電路的研究，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質結高遷移率場效應晶體管、砷化鎵/銦鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質結場效應功率晶體管和研制成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發射驅動電路。
60年代初，吳德馨在國內首先研究成功矽平面型高速開關晶體管，所提出的提高開關速度的方案被廣泛采用，並向全國推廣，60年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路，70年代末研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在國內首先將正性膠光刻和幹法刻蝕等技術用於大規模集成電路的研制，並進行了提高成品率的研究。
吳德馨在國內率先提出了利用MEMS結構實現激光器和光纖的無源耦合，並研究成功工作速率達10Gbps的光發射模塊。其中“先進的深亞微米工藝技術及新型器件”獲2003年北京市科學技術壹等獎。獨立自主開發成功全套0.8微米CMOS工藝技術，獲1998年中科院科技進步壹等獎和1999年國家科技進步二等獎。
俗話說：喝水不忘挖井人，我們在享受技術帶來便利的同時，也不要忘了那些為開拓技術獻身的人，他(她)們是國家和集成電路產業的驕傲，筆者列出這些科學家的目的壹方面是表示對這些科學家的敬意，另壹方面是鼓勵更多的企業或個人為中國集成電路做出更大的貢獻，助力“中國芯”的發展。