SK海力士宣布開發238層閃存芯片，將於明年大規模生產。SK海力士的238層NAND閃存實現了世界上最小的面積，同時達到了業界最高的堆棧水平。SK海力士宣布開發238層閃存芯片，將於明年大規模生產。
SK海力士宣布開發出238層閃存芯片，明年將量產到1。據國外媒體報道，韓國芯片制造商SK海力士周二宣布，它已經開發出壹種238層NAND閃存芯片。
該公司表示，這款芯片是最小的NAND閃存芯片。與上壹代芯片相比，數據傳輸速度提升50%，讀取數據的能耗降低265，438+0%。將用於PC存儲設備、智能手機和服務器，計劃於2023年上半年開始量產。
去年2月30日，12，SK海力士宣布完成對英特爾NAND閃存和SSD業務的第壹階段收購。在交易的第壹階段，英特爾將固態硬盤業務(包括轉讓與NAND固態硬盤相關的知識產權和員工)以及位於大連的NAND閃存制造廠出售給SK海力士，SK海力士向英特爾支付了70億美元。
收購的第二階段預計將在2025年3月及以後進行，屆時SK海力士將向英特爾支付剩余的20億美元。據悉，英特爾出售給SK海力士的相關資產由SK海力士新成立的子公司Solidigm管理。
由於全球經濟的不確定性正在抑制消費者對電子產品的購買力，SK海力士在7月下旬宣布，將無限期推遲投資33億美元新建存儲芯片工廠的擴張計劃。
據悉，SK海力士決定延期擴建的工廠是該公司決定在清州園區建設的M17存儲芯片工廠。該工廠原計劃於2023年末開工，預計最早於2025年完工。
外媒報道稱，該公司決定推遲擴張計劃的原因可能是由於成本上升和市場對芯片的需求放緩。
SK海力士宣布開發238層閃存芯片，將於明年大規模生產。2 SK海力士官方宣布，全球首款238層512Gb TLC 4D NAND閃存將於明年上半年投入量產。現在，SK海力士正式發文介紹其最新技術。
據介紹，SK海力士238層NAND閃存在達到業界最高堆棧水平的同時，實現了世界上最小的面積。
SK海力士2018研發的96層NAND閃存超越了傳統的3D模式，引入了4D模式。為了成功開發具有4D架構的芯片，公司采用了電荷陷阱閃存(CTF)和PUC (Peri)技術。單元格下)。與3D模式相比，4D建築具有單位面積更小、生產效率更高的優勢。
官方稱，新產品單位面積密度更高，用其更小的面積在同樣大小的矽片上可以生產更多的芯片，因此其生產效率也比176層NAND閃存提高了34%。
此外，238層NAND閃存的數據傳輸速度為2.4Gbps，比上壹代提升了50%，芯片讀取數據時的能耗也降低了265，438+0%。
SK海力士計劃首先為cSSD供應238層NAND閃存，然後逐步將進口範圍擴大到智能手機和高容量服務器SSD。SK海力士明年還將發布全新的238層NAND閃存產品，密度為1Tb。
SK海力士宣布開發238層閃存芯片，將於明年大規模生產。7月26日，美國美光科技(Micron Technology)表示，將開始出貨其最先進的NAND閃存芯片，也是第壹家正式宣布將NAND芯片擴展至200層以上的公司。周三，韓國SK海力士也宣布開發了壹種超過200層的閃存芯片。
美光的閃存芯片由232層存儲單元組成，數據傳輸速度將比上壹代的176層芯片快50%，封裝尺寸將比上壹代小28%。該芯片將主要針對人工智能和機器學習等以數據為中心的領域，以滿足其低延遲和高吞吐量的要求。
南韓的SK海力士今天也宣布，它已經開發出壹種超級200層。NAND閃存芯片。這個芯片由238層存儲單元組成，比美光最新的芯片多了6層。
據SK海力士介紹，238層芯片是最小的NAND閃存芯片。數據傳輸速度和功率比上壹代提高50%，讀取數據的能耗也降低了265，438+0%。
SK海力士最新芯片將於2023年上半年開始量產；美光表示，將於2022年底開始量產232層NAND。
層數越高越好。
NAND閃存幾乎用於所有主要的電子終端，如智能手機、電腦和USB驅動器。閃存在市場上不受歡迎的兩個重要因素是成本和存儲密度。
自2013年三星設計出垂直堆疊單元技術以來，芯片層的競爭壹直是各大NAND flash芯片廠商競爭的焦點。
與CPU和GPU仍在競相增加晶體管密度，用更尖端的技術大幅提升芯片性能不同，在NAND市場，目前，增加層數是大幅提升存儲密度的關鍵。所以NAND閃存從最初的24層上升到現在的200層。
但也有專家表示，在閃存芯片領域，每個廠商都有自己的技術架構和演進路線圖，並不完全壹致，每個廠商都有自己的技術工藝特點。在低層次上，3D堆疊確實可以顯著提升閃存的性能，但隨著層數的增加，性能提升也會遇到瓶頸，需要在技術、成本和性能之間找到平衡點。壹般來說，層數並不代表閃存技術上的絕對領先，而是綜合成本和性能而言。
美光的232層NAND采用了類似三星第七代閃存的“雙棧”技術。把232層分成兩部分，每壹部分有116層，從壹個又深又窄的洞裏疊起來。通過蝕刻導體和絕緣體的交替層，用材料填充孔，並進行處理以形成位存儲部件，制造出成品芯片。
蝕刻和填充穿過所有堆疊層的孔已經成為增加NAND閃存層數的技術障礙。
200層樓的野心
目前大部分閃存芯片還在生產100+層的芯片，但是很多廠商已經躍躍欲試，想要嘗試200層的生產工藝。
早在2019，SK海力士就做了壹個大膽的設想，2025年推出500層堆疊產品，2032年實現800層以上。
今年早些時候，美國西部數據及其合作夥伴日本馳夏表示，將很快推出超過200層的BiCS+存儲芯片，計劃於2024年正式上市。
參與多層競爭的三星電子也被曝將於今年年底推出超過200層的第八代NAND閃存。業內推測可以達到224層，傳輸速度和生產效率會提高30%。
在目前全球閃存格局中，三星電子雖然是技術的締造者，過去也壹直引領市場發展，但在200層以上的競爭中，略落後於美光和SK海力士。雖然這兩家公司進入市場較晚，但他們的技術發展非常快，他們可能會保持技術領先地位。
未來，據歐洲知名半導體研究機構IMEC預測，1000層的NAND閃存已經不遠，或將在10年內出現。層數之爭依然是NAND閃存的主旋律，就看角落裏能不能有人超車了。