事實上，隨著半導體技術的不斷進步，對半導體器件的性能、效率和小型化的要求越來越高，傳統的矽半導體材料逐漸不能滿足性能要求。碳化矽、氮化鎵等第三代半導體材料目前已經成為世界競相布局的焦點。在加快發展集成電路產業的同時，中國已將發展第三代半導體技術納入國家戰略。
現在5G時代的到來將推動半導體材料的革命性變化。其中，氮化鎵器件以高性能的特點廣泛應用於通信、國防等領域，其市場需求有望在5G時代迎來爆發式增長。風口來臨，國內目前有哪些企業在布局？國內氮化鎵企業主要從以下幾類來數:襯底、外延片、制造、IDM。
GaN襯底企業
東莞中佳半導體科技有限公司
東莞中瓜半導體科技有限公司成立於2009年6月，總部位於廣東東莞，註冊資本總額654.38+0.3億元人民幣，廠房及辦公面積* * * 654.38+0.7000多平方米，北京大型R&D中心。是國內專業生產氮化鎵襯底材料的企業。
官網顯示，中瓜半導體已建成國內第壹條專業氮化鎵襯底材料生產線，並制備了厚度為1100微米的自支撐GaN襯底，可穩定生產。2065438+2008年2月，中瓜半導體實現4英寸GaN自支撐襯底試產。
東莞中晶半導體科技有限公司
東莞中晶半導體科技有限公司成立於2010，是廣東光大企業集團繼中瓜半導體、中圖半導體之後，在半導體領域的第三個重點產業化項目。
中冶以HVPE設備、GaN襯底等精密半導體設備制造技術為基礎，重點發展Mini/MicroLED外延和芯片技術，並向新型顯示模組方向延伸。同時，基於GaN襯底材料技術，中冶將孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模塊、激光封裝模塊等國際前沿技術，進行全球產業布局。
蘇州納威科技有限公司
蘇州納維科技有限公司成立於2007年，致力於氮化鎵單晶襯底的研發和產業化，實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產，完成了4英寸產品的工程技術開發，突破了6英寸的關鍵技術。現在是世界上為數不多的可以批量提供2英寸氮化鎵單晶產品的單位。
官網顯示，目前，納威泰克的GaN單晶襯底產品已提供給300多家客戶，正在增加產能，向企業應用市場發展。重點突破方向為藍綠半導體激光器、大功率電力電子器件、高可靠性大功率微波器件等重大領域。
佳特半導體科技(上海)有限公司
蓋特半導體科技(上海)有限公司成立於2015年4月，主要從事大尺寸優質低價氮化鎵襯底的生長，以促進眾多半導體企業以合理的價格采購和使用氮化鎵襯底。Gate Semiconductor自主研發了HVPE設備，並用於生長高質量的氮化鎵襯底。
官網顯示，GaTe Semiconductor借助自主研發的HVPE設備，成功生長出4英寸自支撐氮化鎵襯底。蓋特半導體表示，未來幾年將建設全球最大的氮化鎵襯底生長基地，以進壹步推動氮化鎵襯底在半導體材料市場的廣泛應用，並將依托自支撐GaN襯底研發制造中下遊高端led、電力電子等器件。
GaN外延片企業
蘇州詹靜半導體有限公司
蘇州詹靜半導體有限公司成立於2012年3月，致力於GaN外延材料的研發和產業化。2013年8月，詹靜半導體開始在蘇州納米城建設gan外延材料生產線，年產150mm GaN外延片2萬片；2014年底，詹靜半導體發布了其商用8英寸矽基氮化鎵外延片產品。
官網稱，截至目前，詹靜半導體已完成B輪融資擴大生產規模，150mm GaN-on-Si外延片月產能達到10000片。詹靜半導體現在擁有超過150家客戶，他們來自世界各地著名的半導體公司和研究機構。
巨能晶源(青島)半導體材料有限公司
巨能晶源(青島)半導體材料有限公司成立於2065438+2008年6月，專註於電力電子應用的外延材料生長。針對外延材料市場，聚能晶源正在研發矽基氮化鎵材料生長技術，並將矽基氮化鎵外延材料作為產品銷售。
2018-12，聚能晶源成功研制出達到全球行業領先水平的8英寸GaN-on-Si外延片。該類型外延片實現了650V/700V的高耐壓，同時保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性和高可靠性，完全可以滿足工業上高壓電力電子器件的應用要求。
北京世紀廣金半導體有限公司
北京世紀廣金半導體有限公司成立於2010年2月。經過多年的發展，廣金已經成為集半導體單晶材料、外延、器件、模塊研發、設計、生產、銷售為壹體，貫穿第三代半導體全產業鏈的企業。
在碳化矽領域，廣金實現了碳化矽的全產業鏈，而在氮化鎵方面，官網顯示以氮化鎵外延片為主。
巨力成半導體(重慶)有限公司
巨力成半導體(重慶)有限公司成立於2018年9月。是重慶捷順科技有限公司在大足區設立的公司。2065438+2008年9月，重慶市大足區政府與重慶捷順科技有限公司簽約，在重慶建設“聚利成外延片及芯片生產線項目”。
2018 165438+10月，巨力成半導體(重慶)有限公司舉行奠基儀式，項目正式開工。該項目占地500畝，計劃投資50億元。將在大足高新區建設集氮化鎵外延片、氮化鎵芯片研發、生產、封裝測試、產品設計、應用於壹體的全產業鏈基地。2019年6月5日，壹期工程正式開建，預計今年6月10開始外延片量產。
甘制造企業
成都海威華信科技有限公司
成都海威華信科技有限公司成立於2010，是國內首家提供6英寸GaAs/GaN微波集成電路的純晶圓代工企業。據了解，海威華信是由海特高新和29家國有電力公司聯合組建的。2065438+2005年65438+10月，海特高新以5.55億元收購海威華信原股東股權，並以增資方式收購海威華信52.95438+0%股權為其控股股東，從而涉足高端化合物半導體集成電路芯片研發。
海威華信6英寸第二/三代半導體集成電路芯片生產線已於2065438+2006年8月投入試生產。官網顯示，海威華信開發了基站氮化鎵代工技術和6GHz以下5G中頻段手機砷化鎵代工技術，發布了毫米波頻段0.15um砷化鎵代工技術。用於電力電子的Gaas VCSEL激光技術和矽基氮化鎵制造技術也在2019取得了很大進展。
廈門三安集成電路有限公司
廈門三安集成電路有限公司成立於2014，是LED芯片制造公司三安光電的子公司，基於氮化鎵和砷化鎵技術運營。是專業從事化合物半導體制造的代工廠，服務於射頻、毫米波、電力電子、光學等市場，具備襯底材料、外延生長、芯片制造的產業集成能力。
三安壹體化項目規劃總用地面積281畝，總投資30億元。規劃產能為年產30萬片GaAs高速半導體外延片、30萬片GaAs高速半導體芯片、6萬片GaN大功率半導體外延片和6萬片GaN大功率半導體芯片。官網顯示，三安集成在微波和射頻領域建成了專業化、規模化的4英寸和6英寸復合晶圓制造生產線，在電子電路領域推出了高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管和矽基氮化鎵功率器件。
華潤微電子有限公司
華潤微電子有限公司是華潤集團的子公司，負責微電子業務的投資、開發和管理。也是國內具有重要影響力的綜合性微電子企業。它專註於模擬和功率半導體，業務包括集成電路設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試和分立器件。目前擁有5條6-8英寸晶圓生產線，2條封裝生產線，1掩膜生產線，3家設計公司，在國內擁有完整的半導體產業鏈。
2017，12，華潤微電子完成對AVIC(重慶)微電子有限公司(後更名為“華潤微電子(重慶)有限公司”)的收購。重慶華潤微電子采用8英寸0.18微米工藝技術生產芯片，在主生產線外建設了獨立的MEMS和化合物半導體工藝線，具備氮化鎵功率器件的規模化生產能力。
杭州石蘭微電子有限公司
杭州蘭斯微電子有限公司成立於1997，專業從事集成電路芯片設計和半導體相關產品制造。2001，在杭州建成第壹條5寸芯片生產線，現已成為中國IDM企業。
近年來，士蘭威逐步布局第三代化合物功率半導體。2017，士蘭威開通6英寸矽基氮化鎵功率器件中試線。6月，2018、12英寸芯片生產線暨廈門世蘭威先進化合物半導體生產線開工，其中4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線總投資50億元，定位為第三代功率半導體、光通信器件和高端LED芯片。
甘IDM公司
蘇州能迅高能半導體公司
蘇州能訊高能半導體有限公司成立於2011年，致力於寬帶隙半導體氮化鎵電子器件的技術和產業化，為5G移動通信、寬帶通信、工控、電源、電動汽車兩大領域提供高效的半導體產品和服務。
能訊半導體采用集成設計制造(IDM)模式，自主研發氮化鎵材料生長、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性和應用電路技術。目前，公司擁有256項專利。公司在江蘇建設了氮化鎵(GaN)電子器件工廠，占地55畝，累計投資6543.8+0億元。
江蘇能化微電子科技發展有限公司
江蘇能化微電子科技發展有限公司成立於2010年6月。是由國家千人計劃專家朱廷剛博士領銜，留美、澳、日歸國團隊創辦的高科技公司。專業設計、研究、生產、制造和銷售以氮化鎵為代表的高性能復合半導體晶片及其制作的功率器件、芯片和模塊。
能化微電子先後承擔了國家電子信息產業振興和技術改造專項大功率GaN電力電子器件及材料產業化項目，國家戰略性先進電子材料重點研發計劃重點項目基於GaN的新型電力電子器件關鍵技術項目。2017年，能化微電子建成8英寸氮化鎵芯片生產線，並正式投入使用。
英諾賽克(珠海)科技有限公司
英諾賽科(珠海)科技有限公司成立於2065438+2005年2月。公司采用IDM全產業鏈模式，致力於打造集R&D、設計、外延生長、芯片制造、測試、失效分析於壹體的第三代半導體生產平臺。20117年10月，inno seco 8英寸矽基氮化鎵生產線投產，成為國內首條實現量產的8英寸矽基氮化鎵生產線。其主要產品包括30V-650V氮化鎵功率和5G射頻器件。
2018年6月，總投資60億元的Innoseco蘇州半導體芯片項目開工。今年8月30日，項目主廠房封頂。預計生產設備將於18年6月底正式入廠，2020年可實現量產。該項目聚焦氮化鎵、碳化矽等核心產品，將成為集R&D、設計、外延生產、芯片制造、分封裝測試為壹體的第三代半導體產業鏈R&D和生產平臺。
大連新冠科技有限公司
大連新冠科技有限公司成立於2065438+2006年3月。公司采用集成設計制造(IDM)的業務模式，主要從事第三代半導體矽基氮化鎵外延材料和電力電子器件的研究、設計、生產和銷售。產品用於電源管理、太陽能逆變器、電動汽車和工業電機驅動。
官網稱，新冠科技已建成國內首條6英寸矽基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產線。2065438+2009年3月，新冠科技在國內率先推出650伏矽基氮化鎵功率器件(通過1000小時HTRB可靠性測試)，並正式投放市場。
江蘇華工半導體有限公司
江蘇華工半導體有限公司成立於2065438+2006年5月，註冊資本2億元，首期投資10億元。官網稱，目前公司已全面掌握大尺寸Si襯底高導電、耐高壓、高穩定性的GaN外延技術，掌握了具有自主知識產權的增強型電力電子器件制造技術。
根據官網介紹，華工半導體可以提供2英寸、4英寸、6英寸、8英寸GaN-on-Si功率電子器件的外延片產品，並基於華工自主知識產權的GaN-on-Si外延技術進行設計制造，提供650V/5A-60A系列高速功率器件。
關於趨勢力量
TrendForce是壹家全球高科技行業研究機構，橫跨存儲、集成電路和半導體、光電顯示、LED、新能源、智能終端、5G和通信網絡、汽車電子和人工智能等領域。公司在行業研究、政府產業發展規劃、項目評估與可行性分析、企業咨詢與戰略規劃、媒體營銷等方面積累了多年的豐富經驗。是政企客戶在高科技領域進行產業分析、規劃評估、咨詢、品牌推廣的最佳合作夥伴。
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