光電所微細加工光學技術國家重點實驗室研制出來的SP光刻機是世界上第壹臺單次成像達到22納米的光刻機，結合多重曝光技術，可以用於制備10納米以下的信息器件。這不僅是世界上光學光刻的壹次重大變革，也將加快推進工業4.0，實現中國制造2025的美好願景。
長期以來，我國的光刻技術落後於先進國家，成為我國工業現代化進程的壹塊短板。2006年，科技部提出了光刻技術的中長期規劃，希望中科院的國家重點實驗室，能找到壹條繞開國外技術壁壘，具有自主知識產權的光刻路徑。光電所SP光學光刻機就是繞開了傳統的193納米曝光的技術路線，利用長波長光源也可以得到壹個突破衍射極限的分辨率的圖形，所以在成本上安全性方面上都會有壹個很大的提升，是完全具有知識產權的原創性技術。
我以前了解過，光刻機是制造電腦CPU的母機，處於科技領域的最頂層，目前世界上先進光刻機基本被荷蘭的ASML公司壟斷，CPU芯片制程最先進的是14納米，不賣中國人，並且賣給中國公司的稍過時的光刻機也有條款不準用於制造像龍心這類自主研發的CPU芯片。美國、日本在這個領域都力不從心，成都太給力了。
在技術方面，ASML光刻機可以使用波長為13.5納米的極紫外光(EUV)，實現14納米、10納米、和7納米制程的芯片生產，而通過技術升級，也可以實現9納米，8納米，6納米，5納米，4納米乃至3納米等制程的芯片生產。據悉，臺積電購買了ASML的兩臺NXE 3300B(後來在ASML的幫助下升級到與NXE 3350B相同的技術水平)，三星也從ASML采購EUV設備，NXE 3350B和最新的NXE3400光刻機，英特爾同時也采購了數臺NXE 3350B。而且NXE 3350B EUV極紫外光刻機主要被用來進行7nm的相關測試和試產。在今年4月，臺積電就已經開始代加工其7nm制程的芯片產品，三星在近期推出8nm制程的產品，而英特爾可能生產10nm工藝的產品。從中可以看出，ASML的EUV光刻機成為了他們能否快速實現更低納米制程量產計劃的基礎和關鍵，不管三星、英特爾、臺積電圍繞著具體制程工藝如何去競爭，ASML終究是背後最大霸主，最大贏家，因為他們誰都離不開他的EUV光刻機。